LB Lusem의 BGBM(Back Grinding Back Metal)의 기술력은 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 제품이 사용되는 Smartphone, Navigation, TV, Audio, Server power 등 Battery가 사용되는 모든 전자기기 회로 내 전력소자로 응용/적용
될 수 있는 기술력입니다.
고객 감동을 실현하기 위해 자사에서는 기존 상용화 되고 있는 MOSFET PKG 공정과 차별화 된 기술력을 바탕으로 Turn-Key Biz. 실현을 사업의 Vision으로 하고 있습니다.
Process Flow 재정립을 통한 최적의 기술력을 보유하고 있으며, Wafer Level 30~50um Full Grind 기술력을 확보하여 Wafer Thickness 감소를 통해 저 저항 구현 및 낮은 열전도를 실현하였습니다. 30um 수준으로 대응 중인 BSM(Back Side Metal) 또한 고객 요청에 따라 수정 및 보완 대응 가능하도록 모든 준비를 갖추고 있습니다.
자사의 우수한 기술력이 적용된 전자기기 battery의 전력소자는 대기전력 감소를 통해 Life Time을 증가 시키고, 철저한 검사공정을 통해 최상의 제품으로 고객 만족을 위한 Solution을
제공하고 있습니다.
Best Partner로 한발 더 나아가기 위해 Process Optimize를 통해 최상의 제품과 L/T(Lead Time) 감축을 기반으로 지속적인 제품 개발에 최선의 노력을 다하고
있습니다.
Back Grinding
Back Side Metal
MOSFET Top View
Tape&Reel
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[ Spec & Target ]
- Wafer Thickness (8 inch) : 30 ~ 100 um
- Sputter Target : NiV/Ag (Opt. Ti AV)
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- Wafer Thinning Technology
- Silicon Thickness Target : Min 30um
- Full Grinding through TBDB Method
- Cost Reduction through increasing Net die(about 7%)
- Wafer Crack Free through TBDB Method
- Wafer Warpage Free through Carrier Wafer Bonding
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- Offering FSM(Front Side Metal) Servic
- CNA Bumping available
- ENIG / ENEPIG(Under develop)
- Full Tern-Key Solution including FSM
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- Various Sputtering deposition available
- Ti / NiV / Ag
- NiV / Ag
- Ti / Cu
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- Optimized BSM Thickness condition
- Cu/Ni
- Cu Thick target 50um for thin wafer
- Low Rsson characteristic for Mosfet
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- Clear Cut Lin
- Blade Sawing
- Laser Sawing
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- Test & Tape and Reel
- Probe Test available(ETS200)
- Tape and Reel packing available
- Offering Full Turn-Key Solution
- Turn-Key Solution -> Reducing Lead Time
- Customized Mass Production -> Meeting Customer needs
