제품정보 IC분야의 Total Solution을 통해 고객가치를 창조하는 기업

BGBM

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LB Lusem의 BGBM(Back Grinding Back Metal)의 기술력은 MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 제품이 사용되는 Smartphone, Navigation, TV, Audio, Server power 등 Battery가 사용되는 모든 전자기기 회로 내 전력소자로 응용/적용 될 수 있는 기술력입니다.
고객 감동을 실현하기 위해 자사에서는 기존 상용화 되고 있는 MOSFET PKG 공정과 차별화 된 기술력을 바탕으로 Turn-Key Biz. 실현을 사업의 Vision으로 하고 있습니다.
Process Flow 재정립을 통한 최적의 기술력을 보유하고 있으며, Wafer Level 30~50um Full Grind 기술력을 확보하여 Wafer Thickness 감소를 통해 저 저항 구현 및 낮은 열전도를 실현하였습니다. 30um 수준으로 대응 중인 BSM(Back Side Metal) 또한 고객 요청에 따라 수정 및 보완 대응 가능하도록 모든 준비를 갖추고 있습니다.
자사의 우수한 기술력이 적용된 전자기기 battery의 전력소자는 대기전력 감소를 통해 Life Time을 증가 시키고, 철저한 검사공정을 통해 최상의 제품으로 고객 만족을 위한 Solution을 제공하고 있습니다.
Best Partner로 한발 더 나아가기 위해 Process Optimize를 통해 최상의 제품과 L/T(Lead Time) 감축을 기반으로 지속적인 제품 개발에 최선의 노력을 다하고 있습니다.
MOSFET PKG Key Tech.
  • TBDB (Temporary Bonding and Debonding)
  • Full Grinding
  • Plating
  • EDS Test
  • Laser / Blade Saw
  • Tape & Reel
  • < Back Grinding >
  • < Back Side metal >
  • < MOSFET Top View >
  • < Tape & Reel >
BGBM Spec. & Target
  • Wafer Thickness (8” inch) : 30 ~ 100 um
  • Sputter Target : NiV/Ag (Opt. Ti AV)

Lusem

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