BUMP
Bumping指的是在晶片AI Pad上用金或者焊锡材料形成5~20㎛大小的外部接触凸块的工序。Die表面的Bump可执行多种机能，与基板的电气式连接，在芯片内通过用基板提供热传递来散热，为芯片之间或芯片与基板之前的提供空间，防止电短路，具有物理性支撑芯片的作用。
Produce Specification
| Produce Specification | |
|---|---|
| Item | Capability |
| Wafer | 8 inch |
| Hardness | Middle Level : 60±20um High Level : 90±20um |
| Bump Height (Typical) | 8 ~ 14um |
| Height Uniformity | WID : ≤2um WIW : ±2um |
| Bump Pitch | Straight 21um, Staggered 13um |
| AOI | 2D |
工艺介绍